Neue technische Fortschritte und Anforderungen machen den Einsatz von Siliziumkarbid (SiC) für viele anspruchsvolle Halbleiteranwendungen erforderlich. Aufgrund ihrer physikalischen und elektronischen Eigenschaften eignen sich SiC-basierte Bauelemente gut für Hochtemperatur-, Hochleistungs- und Hochfrequenz-Elektronikgeräte, die den Fortschritt bei Elektrofahrzeugen (EVs), 5G- und IOT-Technologien ermöglichen. Während sie für den Endverbraucher viele Vorteile mit sich bringen, stellt die Herstellung von hochwertigen SiC-Substraten die Waferhersteller vor viele Herausforderungen.