Open-Access-Publikationen spielen eine entscheidende Rolle dabei, Bildung und wissenschaftliche Erkenntnisse Forschenden, Fachleuten und einer breiten Öffentlichkeit weltweit zugänglich zu machen. Vor Kurzem leistete Pureon seinen Beitrag zu einem Open-Access-Veröffentlichung von IntechOpen – einem der weltweit führenden Verlage von wissenschaftlichen Büchern, die von Fachkollegen eingehend geprüft werden. Gegründet im Jahr 2004 und mit Sitz in London, bietet IntechOpen eine globale Plattform für Forschende und Industrieexperten, um neueste Erkenntnisse zu teilen. Erfahren Sie hier, wie Pureons innovativer Rapid-Thinning-Prozess die Zukunft der SiC-Wafer-Herstellung prägt – mit höherer Effizienz, Qualität und Skalierbarkeit für Anwendungen der nächsten Halbleitergeneration.
Pureon ist stolz darauf, ein technisches Kapitel zu „Silicon Carbide – Materials, Devices and Emerging Applications“, der Open-Access-Veröffentlichung von IntechOpen, beigetragen zu haben. Unser Kapitel mit dem Titel „Rapid Thinning in SiC Wafering: Innovations and Impacts on the Value Chain“ bietet fundierte Einblicke in präzise Oberflächenbearbeitungstechnologien, die für die moderne Halbleiterfertigung – insbesondere für Siliziumkarbid (SiC) – von entscheidender Bedeutung sind.
Mit dem Übergang zu Wide-Bandgap-Materialien wird die Geräteperformance zunehmend von der Oberflächenqualität beeinflusst. Das Kapitel konzentriert sich darauf, wie fortschrittliche Schleif-, Läpp- und chemo-mechanische Polierprozesse (CMP) zentrale Qualitätsparameter beeinflussen:
Im Kapitel vermittelt Pureon sowohl theoretische Hintergründe als auch empirische Daten und zeigt, wie massgeschneiderte Verbrauchsmaterialien und der Rapid-Thinning-Prozess helfen, eine präzisere Prozesskontrolle, höhere Ausbeuten und bessere Leistung in nachgelagerten Prozessen zu erzielen.
Die Publikation zeigt auf, wie Pureon wissenschaftliche Erkenntnisse in praxisnahe, skalierbare Lösungen für die Industrie transformiert. Unser Beitrag richtet sich an Prozessingenieurinnen und Prozessingenieure sowie Fachleute aus dem F&E- und Halbleiterbereich, die Materialien wie SiC für Leistungs- und HF-Anwendungen optimieren möchten.
Mit der steigenden Nachfrage nach kleineren Strukturen, höherer Leistungsdichte und Energieeffizienz wird die Oberflächenbearbeitung zu einem strategischen Schlüssel – nicht nur zu einem Polierschritt.
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