Aufgrund seiner herausragenden elektrischen Eigenschaften ist Siliziumkarbid (SiC) in der Halbleiterindustrie unverzichtbar geworden. Es ist das bevorzugte Substrat für Hochleistungs-, Hochfrequenz- und Hochtemperaturanwendungen und spielt eine essenzielle Rolle in Bereichen wie Elektromobilität, erneuerbare Energien und fortschrittliche Computertechnologie. Die Herstellung von SiC-Wafern umfasst jedoch komplexe und kostspielige Prozessschritte, darunter Boule-Wachstum, Wafer-Schneiden, Thinning und Polieren. Jeder dieser Schritte beeinflusst die Qualität des Endprodukts sowie die gesamten Herstellungskosten. Die innovative Rapid Thinning Technologie revolutioniert die Wafer-Bearbeitung.
Der von Pureon entwickelte Rapid-Thinning-Prozess ist eine wirtschaftliche und effiziente Lösung für die sich wandelnden Anforderungen der Halbleiterindustrie. Herkömmliche Methoden zur Wafer-Thinning wie mechanisches Schleifen und chemisch-mechanisches Polieren (CMP) sind zeitaufwendig und teuer. Sie begrenzen den Durchsatz und erhöhen die Produktionskosten. Der Rapid-Thinning-Prozess stellt einen technologischen Durchbruch in der Wafer-Bearbeitung dar: Er kombiniert fortschrittliche Pad-Technologie mit einer Diamantsuspension, um hohe Materialabtragsraten bei gleichzeitig herausragender Wafer-Qualität zu erzielen. Diese Methode senkt die Betriebskosten des Prozesses um 40 Prozent im Vergleich zu konventionellen Techniken, minimiert gleichzeitig Schäden unter der Oberfläche sowie den Verschleiss der Anlagen. Die Integration von Rapid Thinning in den SiC-Wafering-Workflow vereinfacht nicht nur die Produktion, sondern steigert auch das Ergebnis und verringert das Kontaminationsrisiko.
Der Standardprozess für die Herstellung von SiC-Wafern umfasst mehrere Stufen, darunter Drahtsägen, grobes und feines Schleifen sowie chemisch-mechanisches Polieren (CMP). Jede dieser Phasen bringt spezifische Herausforderungen mit sich:
Die mit diesen Prozessen verbundenen Kosten und der hohe Zeitaufwand wirken sich erheblich auf die Endkosten und die Qualität der SiC-Wafer aus.
Genau hier setzt Rapid Thinning an.
Die Rapid Thinning Technologie revolutioniert das SiC-Wafering, indem sie mehrere Prozessschritte in einem einzigen effizienten Verfahren vereint. Durch den Einsatz fortschrittlicher Pad-Technologie und Diamantsuspension bietet Rapid Thinning entscheidende Vorteile:
Höhere Produktionsgeschwindigkeit
Bei Pureon verstehen wir die Notwendigkeit effizienter und kostengünstiger Prozesse in nachfragestarken Industrien. Rapid Thinning reduziert Zykluszeiten durch optimierte Schleif- und Poliertechniken, die den Thinning Process beschleunigen, während die Wafer-Stärke präzise kontrolliert wird. Diese gesteigerte Effizienz führt zu kürzeren Prozesszeiten und einem höheren Durchsatz, wodurch Hersteller ihre Produktionsziele einfacher erreichen können.
Verbesserte Wafer-Qualität
Rapid Thinning bewahrt die strukturelle Integrität der Wafer und minimiert Mikrorisse, Verformungen oder Restspannungen, die zu Defekten führen könnten. Durch eine glatte, gleichmässige Oberflächenbeschaffenheit trägt diese Technologie zu einer besseren Geräteleistung, geringeren Ausfallraten, höheren Erträgen und zuverlässigeren Endprodukten bei.
Kosteneffizienz
Da weniger Zeit und Energie erforderlich sind, um die gewünschte Wafer-Stärke zu erreichen, senkt Rapid Thinning die Betriebskosten der Hersteller. Unsere Lösung kombiniert fortschrittliche Schleifmaterialien mit optimierten Prozessparametern, um den Werkzeugverschleiss zu reduzieren, die Lebensdauer der Anlagen zu verlängern und den Durchsatz vorhandener Maschinen zu maximieren. Das Ergebnis ist geringere Kosten pro bearbeiteten Wafer – ein klarer Vorteil für Hersteller, die sowohl ihre Gewinnmargen als auch die Qualität ihrer Produkte steigern wollen.
Rapid Thinning ist eine fortschrittliche Technologie, die Material schneller entfernt als herkömmliches Polieren. Sie eignet sich besonders für Branchen, die effiziente Materialentfernung, höheren Durchsatz und verkürzte Prozesszeiten benötigen, darunter:
Der Rapid-Thinning-Prozess von Pureon basiert auf fortschrittlicher Materialwissenschaft, präziser Ingenieurskunst und einer konsequenten Kundenorientierung. Mit jahrzehntelanger Erfahrung in der Oberflächenbearbeitung und Schleiftechnologie entwickeln wir massgeschneiderte Lösungen, die den individuellen Anforderungen unserer Kunden gerecht werden.
Mit Rapid Thinning bietet Pureon nicht nur ein Produkt, sondern einen Lösungsweg zu höherer Produktivität, Qualität und Prozesseffizienz in der Halbleiterindustrie. Unsere Technologie vereint Geschwindigkeit, Präzision und Anpassungsfähigkeit – so stellen wir sicher, dass unsere Kunden im dynamischen Markt wettbewerbsfähig bleiben.
Arbeiten Sie mit Pureon zusammen und entdecken Sie, wie Rapid Thinning Ihre Waferproduktion optimieren kann. Erfahren Sie mehr darüber, wie wir Ihre Prozesse effizienter gestalten, die Waferqualität verbessern und Produktionskosten senken können. Unser Expertenteam steht Ihnen zur Seite – um die Vorteile von Rapid Thinning aufzuzeigen und Ihnen zu demonstrieren, warum es die ideale Lösung für die moderne Halbleiterfertigung ist.